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本发明公开了一种提升CMOS工艺中浅沟槽隔离性能的方法，包括以下步骤：提供一种半导体衬底，衬底上具有浅沟槽结构，浅沟槽结构中填充有线性氮化硅和线性氧化物层，包括浅沟槽结构表面的衬底表面覆盖有阻挡层和缓冲层；去除衬底阻挡层和缓冲层；在衬底的表...
该专利属于和舰科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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