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本发明提供一种PMOS晶体管结构及其制造方法，在源区和漏区形成埋置SiGe层以增大沟道区域的应力的基础上，进一步通过在沟道区域形成埋置碳硅层，进而增大了沟道区域的应力，提高了PMOS晶体管载流子迁移率；同时，埋置碳硅层还阻挡源漏区后续工艺中...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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