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一种中大尺寸芯片提高亮度和良率的制造方法技术
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文档序号:8490697
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本发明属于LED芯片技术领域,具体公开了一种采用背面隐形切割并且切割深度大于芯片厚度1/2的切割工艺,解决了因斜裂问题而导致良率偏低、亮度偏低等技术问题。由于切割位置接近芯片正面,崩裂的时候能有效减少切割位置与实际裂开位置的偏差,相对公知切...
该专利属于鹤山丽得电子实业有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过鹤山丽得电子实业有限公司授权不得商用。
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