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本发明实施例提供了一种多栅器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括氧化层和形成在所述氧化层表面的半导体薄膜；形成位于所述半导体薄膜表面的图案层，所述图案层具有第一开口；形成位于所述第一开口的侧壁的侧墙；去除所述图案层；在去除所述图案层后...
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