温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，涉及薄膜电极技术，先将纳米金属氧化物配置成溶胶，再将溶胶滴加在一个导电材料的表面。纳米金属氧化物经过低温煅烧后，在导电材料的表面形成一个致密且光滑的薄膜，得到半导体薄膜电极。通...
该专利属于中国科学院生态环境研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院生态环境研究中心授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。