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本发明涉及一种集成标尺的SU-8纳米流体通道的制作方法,其特征是利用电子束曝光制作含有标尺及通道线条结构的光刻掩模板,并将上述掩模板应用于SU-8纳米流体系统的加工中,利用纳米压印并结合键合技术实现集成标尺的纳米流体通道的制作。该方法操作简...该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。
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本发明涉及一种集成标尺的SU-8纳米流体通道的制作方法,其特征是利用电子束曝光制作含有标尺及通道线条结构的光刻掩模板,并将上述掩模板应用于SU-8纳米流体系统的加工中,利用纳米压印并结合键合技术实现集成标尺的纳米流体通道的制作。该方法操作简...