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一种快速生长掺杂Bi4Ge3O12(BGO)晶体的技术方法，属于人工晶体材料领域。所用的生长方法为光浮区法，首先要制作原料棒，生长时籽晶与料棒之间形成一熔区，使熔区自下而上移动，完成单晶生长。因Al、Mg、Ca等掺杂的Bi4Ge3O12(B...
该专利属于盐城工学院所有，仅供学习研究参考，未经过盐城工学院授权不得商用。

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