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本发明提供一种修改具有设置在绝缘体上的半导体的晶片的方法，所述方法包括以下步骤：分别在第一和第二晶片区域处形成在每个端部处连接至半导体衬垫的第一和第二纳米线沟道，其中第二纳米线沟道侧壁比第一纳米线沟道侧壁相对于所述半导体的晶面更加错位；以及...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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