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量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件技术
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文档序号:8454167
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本发明提供量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件。该量子点层的制造方法包括:在源基板上顺次堆叠自组装单层、牺牲层和量子点层;在量子点层上设置印模;拾取牺牲层、量子点层和印模;以及采用溶解牺牲层的溶液从量子点层去除牺牲层。...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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