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本发明提供了一种提高CuInS2薄膜光电转换性能的方法，属于材料技术领域。其特征是：在CuInS2薄膜表面电镀微量金属铅颗粒，或者连续离子层吸附反应沉积硫化铅颗粒，或者先电镀微量金属铅颗粒、然后沉积硫化铅颗粒。本发明显著提高了CuInS2薄...
该专利属于北京化工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京化工大学授权不得商用。

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