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一种双栅极半导体器件提供如下高击穿电压，该击穿电压允许对功率应用有用的输出电压的大的偏移。该双栅极半导体器件可以视为包括MOS栅极和结栅极的双栅极器件，其中结栅极的偏置可以是MOS栅极的栅极电压的函数。双栅极半导体器件的击穿电压是MOS栅极...
该专利属于ACCO半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过ACCO半导体公司授权不得商用。

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