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本发明公开了一种铝栅极及其制备方法和包括该铝栅极的薄膜晶体管,其中,铝栅极,包括铝栅极本体和覆盖在所述铝栅极本体的外表面和侧壁上的盖层,盖层由热涨系数小于20的金属制备而成。由于金属盖层选择热涨系数小于20的金属,在高温时,不容易发生膨胀,...该专利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种铝栅极及其制备方法和包括该铝栅极的薄膜晶体管,其中,铝栅极,包括铝栅极本体和覆盖在所述铝栅极本体的外表面和侧壁上的盖层,盖层由热涨系数小于20的金属制备而成。由于金属盖层选择热涨系数小于20的金属,在高温时,不容易发生膨胀,...