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本发明公开了一种集成电路静电释放保护电路及其制造方法，该保护电路包括共用同一衬底的GGMOS和至少1个硅通孔，所述硅通孔设置于GGMOS周围的衬底中。本发明的集成电路静电释放保护电路中，ESD产生时，由于ESD电流的存在，会在GGMOS上产...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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