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本发明公开了一种堆迭式半导体封装结构，用于一堆迭式芯片，包括一第一半导体芯片，包括一金属层；一硅穿孔结构，贯穿该第一半导体芯片的一上表面，并电连接至该金属层；一重布线路层，形成于该第一半导体芯片的该上表面，并电连接至该硅穿孔结构；以及一第二...
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