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本发明揭示了一种CMOS晶体管的制作方法，通过向NMOS区域的多晶硅层进行预非晶化注入，该预非晶化注入的离子在后续高温退火工艺中使多晶硅层由多晶硅转化为非晶硅，并且在转化过程中产生应力，该应力作用于所述NMOS区域的半导体衬底，从而提高了N...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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