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本发明提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有第一区和布置在第一区两侧的第二区；第一组导线，所述第一组导线在衬底上从第一区延伸至第二区；第二组导线，所述第二组导线在衬底上与第一组导线交替，并且从第一区延伸至第二...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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