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本发明公开了静态随机存储器的寄生参数的测试系统及方法，用于测试静态随机存储阵列中各晶体管的栅覆盖电容和PN结特性，其中，静态随机存储阵列中各相同类型的晶体管的栅极并联耦接于第一测试点；各相同类型的晶体管的有源区并联耦接于第二测试点，各相同类...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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