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本发明公开了一种保护电路，适用于减少漏电流，包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管，以及第二NMOS晶体管。第一PMOS晶体管耦接在第一电位节点和节点之间，且具有耦接到输入节点的第一栅极。第二PMOS晶体管耦接在节点...
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