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本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿晶向排列。其制作步骤为：在基片正面采用压敏电阻所需剂量的掺杂浓度进行P型离子注入...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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