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噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料的合成及包含该材料的半导体设备制造技术
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文档序号:8448083
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本发明涉及具有下述通式的化合物和使用它的有机半导体设备,尤其,包括上述化合物的有机场效应晶体管(OFET)式I。...
该专利属于中国科学院化学研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院化学研究所授权不得商用。
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