噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料的合成及包含该材料的半导体设备制造技术

本发明专利技术涉及具有下述通式的化合物和使用它的有机半导体设备，尤其，包括上述化合物的有机场效应晶体管(OFET)式I。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料和使用它的有机半导体设备，尤其，包括上述材料的有机场效应晶体管(OFET)。
技术介绍
近几十年，随着新型有机半导体材料的设计合成与器件制备技术的不断优化，有机场效应晶体管(OFETs)在器件性能方面取得了突飞猛进的发展。P-型半导体不仅场效应迁移率已经达到了与传统无机硅基材料相媲美的程度，而且也获得了良好的空气稳定性。 然而，n-型半导体通常场效应迁移率比较低，空气稳定性比较差，因此它的发展一直滞后于P-型半导体。直到近年来，鉴于n-型半导体在构筑双极性晶体管和逻辑互补电路中发挥着重要作用，空气稳定的高性能n-型半导体材料越来越引起了研究者的兴趣。现本领域仍有需求获得新型的n-型半导体材料，优选具备优异的综合性能，如，高性能、空气稳定，并甚至有些可溶液加工，在有机半导体设备、尤其有机场效应晶体管OFETs中显示良好性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供噻吩吡咯醌型结构n-型半导体材料和使用它的有机半导体设备，尤其，包括上述材料的有机场效应晶体管(OFET)。本专利技术人已发现本专利技术的目的能够通过具有由以下通式(I)表示的特定结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有下述通式I的化合物：式I其中，W，相同或不同，独立地表示吸电子基团，前提是至少一个W代表氰基；A，相同或不同，独立地选自氢和一价吸电子基团；X，相同或不同，独立地选自氢和一价吸电子基团；D，相同或不同，代表VIA族元素的杂原子；G代表VA族元素的杂原子，或代表G’?Y’，其中G’代表IVA族元素的杂原子；Y和Y’，相同或不同，独立地选自氢和一价可溶性基团；Z，相同或不同，独立地选自氢、一价吸电子基团和一价可溶性基团；m，相同或不同，独立地代表0至8的整数；n，相同或不同，独立地代表1至4的整数。FSA00000589126200011.tif

【技术特征摘要】
1.具有下述通式I的化合物2.根据权利要求I的化合物，其中一价吸电子基团独立地选自氰基、卤素、C2-C6tl羧酸酯，其任选被取代、C2-C6tl酰基，其任选被取代、C1-C6tl全齒化烃基、C1-C6tl全齒化杂烃基、 C1-C60部分卤化烃基和C1-C6tl部分卤化杂烃基。3.根据权利要求I或2的化合物，其中一价可溶性基团独立地选自，C1-C60烃基和杂烃基，其任选被取代，优选选自烷基、杂烷基、酰基、杂酰基、烷基酰基、杂烷基酰基和烷基杂酰基。4.根据前述权利要求任一项的化合物，其中各个W代表氰基。5.根据前述权利要求任一项的化合物，其中各个A和各个X代表氢原子。6.根据前述权利要求1-4任一项的化合物,其中各个A代表吸电子基团和各个X代表氢原子。7.根据前述权利要求任一项的化合物，其中Y和Y’代表可溶性基团，优选地，任选取代的C1-C6tl烃基，更优选C2-C3tl烷基。8.根据前述权利要求任一项的化合物，其中各个D代表氧原子。9.根据前述权利要求任一项的化合物，其中G代表代表VA族元素的杂原子。10.根据权利要求9的化合物，其中G代表氮原子。11.根据前述权利要求1-8任一项的化合物，其中G代表Si-Y’。12.根据前述权利要求任一项的化合物，其中各个m大于0，各个Z代表氢原子。13.根据前述权利要求1-11任一项的化合物，其中各个m等于O。14.根据前述权利要求任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔雅丽，朱道本，张敬，徐伟，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：