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本发明提供一种氮在碳纳米尖端中掺杂的有效方法，在Si衬底上沉积一层金膜作为催化剂层，以CH4、H2和N2为反应气体，在利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备碳纳米尖端的过程中，将氮有效地掺入碳纳米尖端中；其中，金膜的厚度为5~30nm；反应气...
该专利属于重庆理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆理工大学授权不得商用。

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