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一种内嵌分离式多晶硅端电极的沟槽式屏蔽井区功率MOSFET，该晶体管由多个单位晶胞(Unit?Cell)所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：基板、外延层、基体接面、源极接面、绝缘层、多个栅极端电极、源极端电极、第一屏蔽井区与第二屏蔽...
该专利属于马克斯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克斯半导体股份有限公司授权不得商用。

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