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一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终端区具有与元胞相同的...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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