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用于等离子处理腔室的低倾斜度边缘环制造技术
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文档序号:8413832
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本发明提供用于等离子处理腔室中的盖环的实施例。一个实施例中,用于等离子处理腔室中的盖环包括环形主体,所述环形主体由含钇(Y)材料制成。主体包括底面,所述底面具有内定位环与外定位环。内定位环比外定位环自主体延伸更远。主体包括内径壁,所述内径壁...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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