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本发明涉及一种脉冲激光沉积制备片状纳米氧化钴阵列电极材料的方法及其应用。以脉冲激光沉积法制得的Co、Al双金属氧化物薄膜为前驱物，将其在3MNaOH溶液中充分腐蚀出去氧化铝，即可得到片状纳米氧化钴阵列薄膜。本发明电化学性能测试结果表明此薄膜...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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