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非易失性存储器NVM位单元的读取和写入操作具有不同的最佳参数，从而在所述NVM位单元的设计期间产生冲突。所述NVM位单元中的单一位线阻止最佳的读取性能。可通过在两条位线之间分离NVM位单元中的读取路径和写入路径来改进读取性能。所述NVM位单...
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