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本发明公开一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括提供具有晶胞区与周边区的基底。在基底的晶胞区上形成堆叠结构以及在基底的周边区上形成电阻器，其中堆叠结构包含栅氧化层、浮置栅极以及第一间隙壁。在堆叠结构的两侧的基底中形成至少两个掺杂区。在基...
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