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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，半导体衬底上形成有位于NMOS区域的第一栅极和位于PMOS区域的第二栅极；b）在NMOS区域和PMOS区域形成侧墙氧化物层和位于侧墙氧化物层上的高应力氮化物层；c）在PMOS区...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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