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本发明公开一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：首先提供基底，且基底上已形成有具有第一开口与第二开口的介电层。第一开口与第二开口是暴露出部分的基底，而第一开口两侧的基底中已分别形成有第一掺杂区，第二开口两侧的基底中则分别形成有第二掺杂...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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