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本发明揭示一种金属互连线的制造方法，用于金属栅极工艺，包括：提供半导体衬底，其上形成有虚设栅极；在所述半导体衬底上依次覆盖阻挡层、应力层和第一层间介质层；进行第一次化学机械研磨；去除所述虚设栅极，形成金属栅极，所述金属栅极上形成有金属氧化层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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