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本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有覆盖层，覆盖层具有暴露半导体衬底的开口图案；以覆盖层为掩膜对半导体衬底进行刻蚀，以形成开口；在开口的内侧壁上形成侧墙对；在开口内形成硅填充层，且硅填...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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