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本发明的课题是提供一种低电阻、结晶性良好的氮化物半导体模板以及使用该氮化物半导体模板的发光二极管。氮化物半导体模板(10)具备：基板(11)；在基板(11)上形成作为添加了O（氧）的O添加层的O掺杂GaN层(12)、在O掺杂GaN层(12)...
该专利属于日立电线株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日立电线株式会社授权不得商用。

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