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本发明涉及制造非易失浮栅存储单元的方法和由此制造的存储单元。一种非易失存储单元具有带有顶表面的、第一导电型的单晶基板。第二导电型的第一区域在该基板中是沿着该顶表面的。第二导电型的第二区域在该基板中是沿着该顶表面的，与第一区域隔开。沟道区域是...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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