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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有NMOS晶体管和PMOS晶体管；b）在所述半导体衬底、所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管上形成应力盖帽层；c）在覆盖所述PMOS晶体管的所述应力盖帽层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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