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本发明涉及一种用于集成电路中选定晶体管性能提升的注入。第一注入（70）被执行到基底来形成阱（12），多个晶体管（14、16、18、20、22、24、26）将会形成在其中。形成的多个晶体管的第一子组（20、26）的每个晶体管具有满足预定宽度限...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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