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本发明公开了一种功率晶体管的制造方法，本发明方法通过在栅多晶硅顶部形成的绝缘介质层、以及绝缘介质层侧面形成的侧壁介质层作为承压区刻蚀的硬掩膜，减少了正面工艺所需要的掩膜版的数量，能提高芯片内晶体管的密度。本发明方法通过在P型阱区内部植入一P...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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