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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，在所述栅极的两侧形成有间隙壁；b）对所述半导体衬底执行凹槽工艺，以在所述栅极两侧的所述半导体衬底的暴露区域形成凹槽；c）执行源/漏极掺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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