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本发明公开了一种半导体器件结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成具有第一开口的覆盖层，第一开口暴露半导体衬底的第一区域和第二区域，第一区域为待形成的栅极与待形成的源极的重叠区，第二区域为待形成的栅极与待形成的漏极的重叠区，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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