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本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，该制作方法首先提供基底，该基底上形成有至少一第一半导体元件。接下来于该第一半导体元件内形成第一栅极沟槽，随后于该第一栅极沟槽内形成第一功函数金属层。待于该第一栅极沟槽内形成该第一功函数金属层...
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