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本发明公开了一种在具有金属栅极的半导体器件上制作嵌入式电容器的方法，本发明将嵌入式MIM电容器的制作过程在半导体衬底上制作CMOS器件的前段工艺完成，也就是在制作金属栅极时，采用相同的光刻和刻蚀工艺同时在STI区域形成MIM电容器的底部电极...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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