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一种单晶石墨烯pn结及其制备方法技术
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文档序号:8384474
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本发明公开了一种调制掺杂石墨烯pn结及其制备方法。所述调制掺杂石墨烯pn结是按照包括下述步骤的方法制备得到的:1)对铜箔基底进行退火处理;2)在铜箔表面以甲烷为碳源生长亚单层本征石墨烯孤立;3)使用惰性气体清理生长体系;4)以乙腈蒸汽为含氮...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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