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一种能量转换装置及其制造方法和操作方法。该能量转换装置包括：包括多个掺杂区的整体的单晶硅层；振动器，设置在单晶硅层中并且连接到多个掺杂区中的一个掺杂区；第一二极管，其是PN结二极管且允许施加到振动器的输入信号通过；以及第二二极管，其是PN结...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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