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本实用新型适用于集成电路领域，提供了一种静态随机存储器保存状态低漏电电源电路，包括电源控制电路，所述电源控制电路为NMOS管顶部连接。本实用新型采用NMOS管顶部连接，在NMOS由于工艺偏差处于较强时，能有效跟随漏电，不会令SRAM轨到轨电...
该专利属于苏州兆芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州兆芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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