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可以通过形成带有掩模指状物（116）的漂移区注入掩模（114）来形成一种含有延伸漏极MOS晶体管（100）的集成电路，掩模指状物（116）邻接沟道区（108），并延伸到源极/沟道有源区（112），但不延伸到漏极接触有源区（112）。通过暴露...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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