温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

垂直超结MOSFET(101)和横向MOSFET(102)集成在相同半导体基板上。通过n掩埋隔离层(15)和n扩散隔离层(16)将横向MOSFET(102)与垂直超结MOSFET(101)电隔离。横向MOSFET(102)由在n掩埋隔离层(...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。