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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种MOS晶体管有效沟道长度测试结构和测试方法，通过对掺杂条件完全相同的PN结第一测试单元和MOS晶体管第二测试单元的结电容测量，准确提取MOS晶体管有源区掺杂的横向扩散长度，进而准确测量MOS晶体管的有效沟...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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