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本发明提供了一种SONOS存储器的制造方法，包括：在衬底中的有源区上依次形成第一二氧化硅层、氮化硅层和第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层、氮化硅层、第一二氧化硅层构成ONO薄膜层；在ONO薄膜层上沉积多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，在所述ONO...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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