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本发明涉及一种测量光刻胶折射率的方法，在空白基底甩上一层厚的均匀的光刻胶并烘干，这样可以使光刻胶在短时间内不被完全曝光，而且测量结果也会更加精确。如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出先在相应的波长下进行曝光再测量。用分光光度...
该专利属于上海理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海理工大学授权不得商用。

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