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本实用新型属于功率驱动技术领域，具体涉及一种防栅极过压高可靠MOSFET功率驱动电路。该电路包括二极管、电阻R1、电阻R2和MOSFET功率管；所述二极管的正极与电阻R1串连，串联后的结构与电阻R2并联，电阻R1和电阻R2的公共端与MOSF...该专利属于北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院授权不得商用。